铠侠研发团队凭开创性BiCS FLASH 3D闪存技术获此殊荣
NAND闪存的发明者铠侠株式会社荣获2024年FMS（Future of Memory and Storage，全球闪存峰会）终身成就奖。由Hideaki Aochi、Ryota Katsumata、Masaru Kito、Masaru Kido、Hiroyasu Tanaka组成的铠侠工程团队，将接受这一殊荣，以表彰其在3D闪存技术研发与商业化方面的开创性贡献。此项突破性技术已广泛应用于各类计算应用中，包括智能手机、个人电脑、固态硬盘、数据中心、人工智能及工业领域。
2007年，铠侠在VLSI（超大规模集成电路）研讨会上提出了BiCS FLASH 3D闪存技术的概念。自推出原型机之后，铠侠持续深耕，不断优化该技术以实现量产目标，并最终于2015年在全球首次成功推出256Gb 48层3D闪存产品。
“铠侠在3D闪存领域的革新之举，彻底颠覆了数据存储的传统格局，将其从现有的技术进步升华为满足现代计算需求的突破性解决方案，”FMS主席Chuck Sobey高度评价道，“我们十分高兴能够在会上展示这一重要贡献，并对它未来的发展充满期待。”
凭借独特的3D堆叠结构，BiCS FLASH技术不仅提升了存储容量与性能，更在存储行业内掀起了变革浪潮。该技术实现了更高密度的存储解决方案，同时保持了可靠性和效率，显著增强了数据中心、消费类电子产品和移动设备的能力，并为闪存技术树立了新标准。该技术在保持高可靠性与效率的同时，实现了更高密度的存储解决方案，极大增强了数据中心、消费电子产品及移动设备的性能，树立了闪存技术的新标杆。通过垂直堆叠技术，铠侠的BiCS FLASH技术成功突破了平面NAND闪存的局限性，为存储解决方案的未来发展开辟了广阔道路，进一步巩固了铠侠在业内的领军地位。
第八代BiCS FLASH™电子显微镜扫描图像 ©IEEE 2023
“铠侠在3D闪存技术领域的创新成果不容小觑，”铠侠株式会社内存部门副总裁兼技术执行官Atsushi Inoue先生表示，“我们的技术不仅开创了行业新范式，更实现了闪存单元、芯片及封装存储密度的显著提升。我深感自豪，我们的努力与成就得到了业界的广泛认可，并期待在未来继续见证这一技术的深远影响。”
“我的铠侠工程师伙伴们，在技术探索的征途上不仅是灵感的灯塔，更以持续的创新与对同僚的鼎力支持，践行着推动行业前行的承诺，”铠侠株式会社高级内存开发中心高级研究员Ryota Katsumata感慨道。“我们的努力，不仅结出了深远的果实，更在业界播撒了创新与协作精神的种子。见证这份领导力和公司远见得到认可，实为幸事。”
该3D闪存技术还荣获了2020年日本“全国发明表彰计划”的帝国发明奖，并相继摘取2023年日本文部科学省颁发的“科学技术表彰”中的科学技术奖，以及2021年IEEE安迪·S·格鲁夫（Andrew S. Grove）奖的桂冠。
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