华虹半导体有限公司日前宣布其第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台已成功实现量产。此次量产的第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，再创全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。更明显的面积优势，使得芯片整体面积进一步减小，从而在单片晶圆上获得更多裸芯片数量。此外，其光罩层数也随之进一步减少，有效缩短了流片周期。
华虹方面介绍，第三代工艺平台的大规模稳定量产，为电信卡、交通卡等智能卡和安全芯片产品以及微控制器（MCU）等多元化产品提供持续稳定的支持和解决方案。
资料显示，华虹在上海金桥和张江建有三座200mm晶圆厂，月产能17.5万片；同时在无锡高新技术产业开发区内在建一条月产能4万片的300mm集成电路生产线。华虹执行副总裁孔蔚然表示：“华虹是嵌入式非易失性存储器技术的领航者，未来将继续聚焦200mm差异化技术的研发创新，面向高密度智能卡与高端微控制器市场，同时不断致力于在功耗和面积方面提供显著的优化，将200mm现有的技术优势向300mm延伸，更好地服务国内外半导体芯片设计公司，满足市场需求。”
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